Name: TSM250NB06LDCR-RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM250NB06LDCR RLG
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

TSM250NB06LDCR-RLG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM250NB06LDCR-RLG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	MOSFET 2N-CH 60V 6A/29A 8DFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	14 394 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 30 - déc. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM250NB06LDCR-RLG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	-
Tension de drain à la source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta), 29A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	25mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1314pF @ 30V
Puissance - Max	2W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (5x6)

TSM250NB06LDCR-RLG Packaging

TSM250NB06LDCR-RLG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM250NB06LDCR-RLG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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